研究方向
1. 碳化硅光電器件制備和表征
2. 碳化硅功率芯片及其基礎(chǔ)材料的輻照效應(yīng)研究

（1）近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，身心健康，年齡不超過(guò)35周歲；
（2）具有相關(guān)學(xué)科背景、較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和獨(dú)立科研工作能力；
（3）能夠全職從事博士后工作，無(wú)博士后退站經(jīng)歷。

我們?yōu)槟峁?br>（1）具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬，具體面議；可享受地方政府免稅人才補(bǔ)助15萬(wàn)元/年；應(yīng)屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受10萬(wàn)元杭州市應(yīng)屆生人才補(bǔ)貼；
（2）提供專(zhuān)項(xiàng)科研經(jīng)費(fèi)支持；對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，分別給予相應(yīng)配套資助和獎(jiǎng)勵(lì)；對(duì)生源優(yōu)秀或取得標(biāo)志成果的博士后，給予額外獎(jiǎng)勵(lì)（相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)可疊加）；
（3）符合條件的，可申報(bào)博士后海外引才專(zhuān)項(xiàng)，享受三年生活補(bǔ)助和安家費(fèi)相關(guān)政策；
（4）表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)等崗位；
（5）在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱(chēng)，并可獲得地方政府80萬(wàn)元安家補(bǔ)助；
（6）出站后留杭或蕭山工作的，可申請(qǐng)杭州市D類(lèi)人才或蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策；
（7）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；
（8）協(xié)助解決子女教育入學(xué)、辦理落戶(hù)、政府人才配套用房申請(qǐng)、人才項(xiàng)目申報(bào)、人才認(rèn)定等；
（9）提供一流的科研條件和博士后俱樂(lè)部等交流平臺(tái)，享受園區(qū)一站式保障服務(wù)，如食堂、健身房、體育館等。

應(yīng)聘材料
個(gè)人簡(jiǎn)歷（包括個(gè)人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績(jī)、承擔(dān)科研項(xiàng)目情況、發(fā)表文章目錄、專(zhuān)利及獲獎(jiǎng)情況等）整合為單一PDF文檔。