研究方向
碳化硅單晶生長與器件研制：
1. 半導(dǎo)體單晶生長工藝開發(fā)
2. 半導(dǎo)體單晶生長設(shè)備設(shè)計與開發(fā)
3. 半導(dǎo)體單晶缺陷與雜質(zhì)的研究

（1）近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，身心健康，年齡不超過35周歲；
（2）具有相關(guān)學(xué)科背景、較強的團隊合作意識和獨立科研工作能力；
（3）能夠全職從事博士后工作，無博士后退站經(jīng)歷。

我們?yōu)槟峁?br>（1）具有競爭力的薪酬，具體面議；可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年；應(yīng)屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受10萬元杭州市應(yīng)屆生人才補貼；
（2）提供專項科研經(jīng)費支持；對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項目資助的，分別給予相應(yīng)配套資助和獎勵；對生源優(yōu)秀或取得標志成果的博士后，給予額外獎勵（相關(guān)獎勵可疊加）；
（3）符合條件的，可申報博士后海外引才專項，享受三年生活補助和安家費相關(guān)政策；
（4）表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)等崗位；
（5）在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬元安家補助；
（6）出站后留杭或蕭山工作的，可申請杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策；
（7）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；
（8）協(xié)助解決子女教育入學(xué)、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等；
（9）提供一流的科研條件和博士后俱樂部等交流平臺，享受園區(qū)一站式保障服務(wù)，如食堂、健身房、體育館等。

應(yīng)聘材料
個人簡歷（包括個人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績、承擔科研項目情況、發(fā)表文章目錄、專利及獲獎情況等）整合為單一PDF文檔。