基礎信息
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工作類別 |
招聘領域 |
學歷 |
專業(yè) |
工作地點 |
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科研 |
新能源 |
博士 |
微電子、半導體物理或材料科學等 |
寧波市 |
研究方向
鎵系寬禁帶半導體（GaN、Ga2O3）的外延及缺陷調(diào)控，面向保密通信、新能源汽車等應用場景的寬禁帶半導體器件設計開發(fā)
崗位職責
1.承擔寬禁帶半導體薄膜、光電子或功率電子器件研發(fā)的科研任務，材料體系包括氮化鎵、氮化鋁、氧化鎵等
2.積極申請并承擔國家與省市級各類科研基金項目，及時發(fā)表高水平科研論文
3.協(xié)助指導研究生在研課題，管理實驗室重要科研設備等有關工作
任職要求
1.熟悉微電子器件物理與工藝, 有薄膜晶體管、二極管或光電探測器等經(jīng)驗者優(yōu)先考慮
2.具有扎實的專業(yè)知識和實驗技能，在國際學術刊物上發(fā)表過相關學術論文
3.有濃厚的科研興趣，團隊協(xié)作精神和獨立開展工作的能力
部門/團隊介紹
硅基太陽能及寬禁帶半導體團隊由葉繼春博士在2012年8月創(chuàng)建。團隊依托浙江省能源光電子工程中心，擁有超過600平米的千級超凈室，逐步完善了太陽能及寬禁帶半導體的加工制備和表征分析平臺。目前擁有包括MOCVD、PLD、PECVD、ALD、電子束蒸鍍等總價值超5000萬的半導體薄膜沉積、加工和表征設備，擁有半導體小試流片能力和器件仿真模擬平臺。
聯(lián)系方式
聯(lián)系人：硅基太陽電池及寬禁帶半導體團隊 郭煒
電話：87913275（來電時請說明是在高校人才網(wǎng)看到的信息）
郵箱：guowei@nimte.ac.cn
