一、課題組簡(jiǎn)介
實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點(diǎn)突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長(zhǎng)、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，提高我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國(guó)科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心特聘教授2人、科創(chuàng)百人6人、博士后和技術(shù)開(kāi)發(fā)專(zhuān)家21人，工程師13人，博士占比54%。2021年研究室在Small、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materials等國(guó)際期刊發(fā)表SCI論文30余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利60余項(xiàng)，其中授權(quán)11項(xiàng)，申請(qǐng)實(shí)用新型專(zhuān)利30余項(xiàng)，其中授權(quán)14項(xiàng)。
主要負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介：黃淵超，求是科創(chuàng)學(xué)者（“科創(chuàng)百人計(jì)劃”研究員），浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2014年畢業(yè)于中國(guó)石油大學(xué)（華東）機(jī)電工程學(xué)院并獲得學(xué)士學(xué)位，2019年6月于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲得材料科學(xué)與工程博士學(xué)位，2020年9月到2022年9月在浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心從事博士后研究。主要研究方向?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體單晶生長(zhǎng)與摻雜?，F(xiàn)已發(fā)表論文20余篇，其中一作/通信論文10篇。
二、重點(diǎn)引進(jìn)方向:
方向1：半導(dǎo)體材料單晶生長(zhǎng)工藝開(kāi)發(fā)
方向2：半導(dǎo)體材料單質(zhì)生長(zhǎng)設(shè)備設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
方向3：半導(dǎo)體材料缺陷與雜質(zhì)的第一性原理研究
方向4：半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)過(guò)程分子動(dòng)力學(xué)或蒙特卡洛研究
三、申請(qǐng)條件:
1.具有相關(guān)學(xué)科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)、從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；
2.近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過(guò)35周歲；
3.具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；
4.具有良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力；
5.保證全職從事博士后研究工作。
四、待遇及保障條件:
1.根據(jù)科研工作能力提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬(wàn)元）；
2.對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；
3.提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；
4.協(xié)助申請(qǐng)杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；
5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開(kāi)發(fā)崗位；
6.在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱(chēng)，并可獲得地方政府80萬(wàn)人才補(bǔ)貼。
五、申請(qǐng)材料:
1.個(gè)人簡(jiǎn)歷；
2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；
3.博士學(xué)位論文。
申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：huangyuanchao@zju.edu.cn，hr-hic@zju.edu.cn，【快捷投遞：點(diǎn)擊下方“立即投遞/投遞簡(jiǎn)歷”，即刻進(jìn)行職位報(bào)名】，附件和郵件主題均以“黃淵超課題組+博士后+姓名+高校人才網(wǎng)”標(biāo)明。
六、聯(lián)系方式:
聯(lián)系人：徐老師
聯(lián)系電話(huà)：0571-82491973
地址：
①水博園區(qū)地址：杭州市蕭山區(qū)平瀾路2118號(hào)。
②信息港園區(qū)地址：杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)。
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