研究方向

崗位名稱

招聘人數(shù)

崗位職責(zé)

任職要求

先進(jìn)半導(dǎo)體材料方向

材料生長(zhǎng)與裝備領(lǐng)軍人才

2

負(fù)責(zé)GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，及其他材料的生長(zhǎng)領(lǐng)域以及材料生長(zhǎng)相關(guān)裝備領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與裝備的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上材料生長(zhǎng)與裝備相關(guān)研究經(jīng)歷，在半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與裝備領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果；

3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動(dòng)態(tài)和發(fā)展方向，具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)管理能力。

材料生長(zhǎng)與裝備青年科技人才

10

1.開展GaN、AlN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體及其他材料的高質(zhì)量生長(zhǎng)領(lǐng)域以及材料生長(zhǎng)相關(guān)裝備領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究；

2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與裝備相關(guān)研究項(xiàng)目工作；

3.協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.有半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)研究的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果，從事過(guò)半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與裝備相關(guān)研究工作者優(yōu)先。

先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)軍人才

5

負(fù)責(zé)先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決先進(jìn)光電材料與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上先進(jìn)光電材料與應(yīng)用相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果；

3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動(dòng)態(tài)和發(fā)展方向，引領(lǐng)相關(guān)學(xué)科發(fā)展；具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)管理能力。

先進(jìn)光電材料與應(yīng)用青年科技人才

10

1.開展先進(jìn)光電材料與應(yīng)用領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決先進(jìn)光電材料、技術(shù)與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行先進(jìn)光電材料開發(fā)與應(yīng)用等研究項(xiàng)目工作，完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.有光電材料相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)，取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果，從事過(guò)先進(jìn)光電材料與應(yīng)用相關(guān)研究工作者優(yōu)先。

理論計(jì)算與仿真模擬領(lǐng)軍人才

2

負(fù)責(zé)三代半導(dǎo)體器件理論計(jì)算與仿真模擬領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，從第一性原理深入開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決三代半導(dǎo)體材料理論計(jì)算與仿真模擬的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上理論計(jì)算與仿真模擬相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在半導(dǎo)體材料理論計(jì)算與仿真模擬領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。

3.能夠準(zhǔn)確把握學(xué)科動(dòng)態(tài)和發(fā)展方向，引領(lǐng)相關(guān)學(xué)科發(fā)展；具有優(yōu)良的科技領(lǐng)軍創(chuàng)新才能和優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)管理能力。

理論計(jì)算與仿真模擬青年科技人才

5

1.開展理論計(jì)算與仿真模擬領(lǐng)域的相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決理論計(jì)算與仿真模擬的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助學(xué)科帶頭人進(jìn)行理論計(jì)算與仿真模擬等研究項(xiàng)目工作，協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有3年以上理論計(jì)算與仿真模擬的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，熟練使用計(jì)算編程工具如python、仿真工具Sentaurus、Silvaco之一，并能根據(jù)物理模型存在的問題進(jìn)行修改完善，在國(guó)外核心期刊上發(fā)表過(guò)本領(lǐng)域若干論文者優(yōu)先。

工藝工程師

10

1.開展材料生長(zhǎng)、光刻、鍍膜、刻蝕、摻雜改性、封測(cè)等工藝開發(fā)研究，工藝段的異常分析和處理，與器件工程師合作溝通改進(jìn)工藝；

2.負(fù)責(zé)相關(guān)設(shè)備的運(yùn)行、操作、維護(hù)和使用管理；

3.配合完成相關(guān)項(xiàng)目工藝研發(fā)和驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷；

2.具有半導(dǎo)體或集成電路相關(guān)工藝研發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

集成電路關(guān)鍵材料方向

理化測(cè)試分析平臺(tái)領(lǐng)軍人才

1

1.圍繞理化測(cè)試分析平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，包括方法學(xué)、設(shè)備及相關(guān)材料研究；

2.負(fù)責(zé)理化測(cè)試分析平臺(tái)管理運(yùn)營(yíng)工作，在科研能力建設(shè)、技術(shù)團(tuán)隊(duì)培養(yǎng)、創(chuàng)新實(shí)踐合作等方面發(fā)揮引領(lǐng)作用；

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)、理化分析等相關(guān)專業(yè)；

2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過(guò)具有影響力的標(biāo)志性成果；

光刻材料領(lǐng)軍人才

1

1.圍繞最前沿光刻材料研究任務(wù)，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究；

2.負(fù)責(zé)光刻材料研發(fā)工作，在科研能力建設(shè)、技術(shù)團(tuán)隊(duì)培養(yǎng)、創(chuàng)新實(shí)踐合作等方面發(fā)揮引領(lǐng)作用；

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)、光刻材料等相關(guān)專業(yè)；

2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，具有DUV光刻、和/或電子束光刻（e-beamlithography；EBL）等相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)。

光刻工程師

1

1.參與光刻工藝、設(shè)備及相關(guān)材料的研發(fā)工作；

2.負(fù)責(zé)監(jiān)控和調(diào)整光刻工藝參數(shù)，編寫光刻工藝文件，包括操作規(guī)程、標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)程序等；

3.協(xié)助光刻方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作；

4.完成光刻方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，材料、物理、化學(xué)、電氣工程等相關(guān)專業(yè)；

2.具有2年以上光刻經(jīng)驗(yàn)，在半導(dǎo)體行業(yè)或科研院所從事光刻工藝研發(fā)或光刻材料表征等相關(guān)工作。

工藝整合工程師

1

1.負(fù)責(zé)公共測(cè)試服務(wù)平臺(tái)光刻評(píng)價(jià)/理化測(cè)試分析等相關(guān)工藝整合工作；

2.對(duì)接平臺(tái)業(yè)務(wù)需求，評(píng)估工藝可行性、工藝流程制定、異常分析、問題反饋及報(bào)告整理等相關(guān)工作；

3.協(xié)助光刻/測(cè)試工程師開展工藝調(diào)試及開發(fā)；

4.完成平臺(tái)負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，材料、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)；

2.具有2年以上半導(dǎo)體工藝整合或工藝研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉集成電路工藝制造流程，具備技術(shù)調(diào)研和數(shù)據(jù)分析能力；

3.具有集成電路行業(yè)背景或12寸FAB制程經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

理化分析測(cè)試工程師（電感耦合等離子體質(zhì)譜方向）

1

1.負(fù)責(zé)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備的日常測(cè)試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP；

2.負(fù)責(zé)電感耦合等離子體質(zhì)譜儀及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運(yùn)行；

3.協(xié)助專用理化平臺(tái)搭建及分析表征技術(shù)開發(fā)，建立分析測(cè)試規(guī)范；

4.完成平臺(tái)負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè)；

2.具有電感耦合等離子體質(zhì)譜儀及相關(guān)質(zhì)譜、光譜設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗(yàn)。

理化分析測(cè)試工程師（核磁共振波譜方向）

1

1.負(fù)責(zé)核磁共振波譜儀（NMR）及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的日常測(cè)試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP；

2.負(fù)責(zé)核磁共振波譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運(yùn)行；

3.協(xié)助專用理化平臺(tái)搭建及分析表征技術(shù)開發(fā)，建立分析測(cè)試規(guī)范；

4.完成平臺(tái)負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè)；

2.具有核磁共振波譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗(yàn)。

理化分析測(cè)試工程師（液相色譜方向）

1

1.負(fù)責(zé)高效液相色譜儀（HPLC）及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的日常測(cè)試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP；

2.負(fù)責(zé)高效液相色譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運(yùn)行；

3.協(xié)助專用理化平臺(tái)搭建及分析表征技術(shù)開發(fā)，建立分析測(cè)試規(guī)范；

4.完成平臺(tái)負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，分析化學(xué)、材料、儀器儀表等相關(guān)專業(yè)；

2.具有高效液相色譜儀及相關(guān)譜學(xué)設(shè)備使用操作、數(shù)據(jù)分析和日常維護(hù)經(jīng)驗(yàn)。

刻蝕工藝工程師

1

1.負(fù)責(zé)刻蝕設(shè)備及相關(guān)設(shè)備的日常測(cè)試、數(shù)據(jù)分析、技術(shù)開發(fā)、撰寫設(shè)備SOP；

2.負(fù)責(zé)刻蝕設(shè)備及相關(guān)設(shè)備的安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、維護(hù)及運(yùn)行；

3.協(xié)助專用理化平臺(tái)搭建及分析表征技術(shù)開發(fā)，建立分析測(cè)試規(guī)范；

4.完成平臺(tái)負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷，材料、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)；

2.具有2年以上刻蝕經(jīng)驗(yàn)，熟練掌握相關(guān)儀器和設(shè)備，具有集成電路行業(yè)背景或12寸FAB制程經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

ALD前驅(qū)體領(lǐng)軍人才

1

圍繞最前沿前驅(qū)體材料研究任務(wù)，開展基于沉積技術(shù)的前驅(qū)體研究，包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過(guò)具有影響力的標(biāo)志性成果。

ALD前驅(qū)體材料工藝青年科技人才

1

1.圍繞最前沿前驅(qū)體材料研究任務(wù)，開展基于沉積技術(shù)的前驅(qū)體材料工藝研究；

2.協(xié)助ALD前驅(qū)體方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作；

3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果。

半導(dǎo)體3D封裝材料領(lǐng)軍人才

1

圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù)，開展半導(dǎo)體3D封裝研究，包括工藝、設(shè)備及相關(guān)材料研究。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.具有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)取得過(guò)具有影響力的標(biāo)志性成果。

半導(dǎo)體3D封裝工藝青年科技人才

1

1.圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù)，開展半導(dǎo)體3D封裝工藝研究；

2.協(xié)助半導(dǎo)體3D封裝材料方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作；

3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果。

半導(dǎo)體3D封裝設(shè)備青年科技人才

1

1.圍繞最先進(jìn)半導(dǎo)體3D封裝材料研究任務(wù)，開展半導(dǎo)體3D封裝設(shè)備研究；

2.協(xié)助半導(dǎo)體3D封裝材料方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作；

3.完成方向負(fù)責(zé)人交辦的其他事務(wù)。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果。

集成光電材料

異質(zhì)集成光電材料與器件領(lǐng)軍人才

1

負(fù)責(zé)柔性襯底與多種傳感材料異質(zhì)集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質(zhì)集成的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決異質(zhì)集成關(guān)鍵材料與器件的重大科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上異質(zhì)集成芯片相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)、單片異質(zhì)集成器件、光電集成芯片等領(lǐng)域取得過(guò)有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。

異質(zhì)集成光電材料與器件青年科技人才

1

1.開展柔性襯底與多種傳感材料異質(zhì)集成、傳感材料和器件與硅基光電集成電路異質(zhì)集成的相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決異質(zhì)集成關(guān)鍵材料與器件的科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.從事過(guò)光電傳感材料研究者優(yōu)先、從事過(guò)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)研究者優(yōu)先、從事過(guò)光電集成芯片研究工作者優(yōu)先。取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果者優(yōu)先。

硅基異質(zhì)外延材料與器件領(lǐng)軍人才

1

負(fù)責(zé)硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導(dǎo)體材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導(dǎo)體材料的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決硅基異質(zhì)外延材料與器件的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上硅基異質(zhì)外延材料與器件相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在硅基異質(zhì)外延材料與器件領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。

硅基異質(zhì)外延材料與器件青年科技人才

1

1.開展硅基襯底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半導(dǎo)體材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半導(dǎo)體材料的相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決硅基異質(zhì)外延材料與器件的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.有硅基異質(zhì)外延材料與器件的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果，從事過(guò)異質(zhì)外延相關(guān)研究工作者優(yōu)先。

紅外量子點(diǎn)材料領(lǐng)軍人才

1

負(fù)責(zé)紅外量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)領(lǐng)域以及材料應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決紅外量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上紅外量子點(diǎn)材料相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在紅外量子點(diǎn)材料領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。

紅外量子點(diǎn)材料青年科技人才

1

1.開展紅外量子點(diǎn)材料的高質(zhì)量生長(zhǎng)以及材料應(yīng)用相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決紅外量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.有紅外量子點(diǎn)材料研究的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果，從事過(guò)相關(guān)器件研究的工作者優(yōu)先。

感存算一體材料與器件領(lǐng)軍人才

1

負(fù)責(zé)光學(xué)感存算一體材料與器件工作機(jī)理、制備工藝及相關(guān)器件領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究和發(fā)展規(guī)劃，開展高質(zhì)量科學(xué)研究，推動(dòng)解決光學(xué)感存算一體材料生長(zhǎng)與器件應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題。

1.具有博士學(xué)位；

2.具有8年以上存儲(chǔ)材料或相變材料相關(guān)研究經(jīng)歷，有深厚的專業(yè)技術(shù)水平和研發(fā)能力，在存算一體領(lǐng)域取得過(guò)具有行業(yè)影響力的標(biāo)志性成果。

感存算一體材料青年科技人才

1

1.開展光學(xué)感存算一體材料工作機(jī)理、制備工藝及相關(guān)器件以及創(chuàng)新應(yīng)用相關(guān)科學(xué)研究，推動(dòng)解決光學(xué)感存算一體材料生長(zhǎng)與應(yīng)用的關(guān)鍵科學(xué)與工程問題；

2.協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位；

2.有感存算一體材料研究的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，取得過(guò)優(yōu)秀的科研成果，從事過(guò)相關(guān)器件研究的工作者優(yōu)先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料生長(zhǎng)和工藝技術(shù)高級(jí)工程師/副研究員

1

1.使用國(guó)際先進(jìn)原子層沉積、磁控濺射、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長(zhǎng)機(jī)臺(tái)，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的生長(zhǎng)技術(shù)研究工作，達(dá)到項(xiàng)目所需的交付指標(biāo)；

2.使用國(guó)際先進(jìn)球差電鏡、電子隧穿顯微鏡、電子掃描顯微鏡、鐵電分析儀、XRD、SIMS、XPS、AFM等材料表征設(shè)備，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料組分分析、晶格匹配、鐵電反轉(zhuǎn)等機(jī)理分析工作；

3.完成一整套的纖鋅礦寬禁帶鐵電薄膜的生長(zhǎng)參數(shù)優(yōu)化、工藝包建立、一致性檢測(cè)的工作；

4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在寬禁帶鐵電材料生長(zhǎng)相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果；

3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)者、國(guó)際先進(jìn)研究單位（比利時(shí)IMEC、新加坡IME、法國(guó)CEALeti、美國(guó)3D鐵電中心、德國(guó)弗朗霍斯特研究中心等）經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件和陣列制備高級(jí)工程師/副研究員

1

1.完成基于纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、器件制備、電學(xué)測(cè)試和可靠性測(cè)試的工作，達(dá)到項(xiàng)目所需的交付指標(biāo)；

2.完成基于纖鋅礦FeFET和FeCAP的陣列設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、陣列制備、電學(xué)測(cè)試、存儲(chǔ)功能測(cè)試和可靠性測(cè)試的工作；

3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的工藝設(shè)計(jì)、工藝集成、電學(xué)測(cè)試方法和器件陣列一致性檢測(cè)的工作；

4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果；

3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)者、國(guó)際先進(jìn)研究單位（比利時(shí)IMEC、新加坡IME、法國(guó)CEALeti、美國(guó)3D鐵電中心、德國(guó)弗朗霍斯特研究中心等）經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

纖鋅礦寬禁帶鐵電材料器件TCAD仿真驗(yàn)證工程師/助理研究員

1

1.結(jié)合半導(dǎo)體器件制備經(jīng)驗(yàn)，使用國(guó)際主流半導(dǎo)體器件計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件，完成纖鋅礦寬禁帶鐵電材料的FeFET和FeCAP的器件建模、TCAD仿真驗(yàn)證工作，達(dá)到項(xiàng)目所需的交付指標(biāo)；

2.完成纖鋅礦FeFET和FeCAP中摻雜濃度、薄膜組分、薄膜厚度、矯頑電場(chǎng)等DOE設(shè)計(jì)、TCAD仿真驗(yàn)證、數(shù)據(jù)分析、指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)計(jì)劃的工作；

3.完成一整套的纖鋅礦FeFET和FeCAP陣列的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝集成、電學(xué)測(cè)試方法和器件陣列一致性檢測(cè)的模擬仿真工作；

4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人完成相關(guān)科研項(xiàng)目的規(guī)劃布局、平臺(tái)建設(shè)、技術(shù)攻關(guān)等工作。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.具有3-5年半導(dǎo)體新型器件微納制備經(jīng)驗(yàn)；在寬禁帶鐵電材料FeFET和FeCAP相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果；

3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)者、國(guó)際先進(jìn)研究單位（比利時(shí)IMEC、新加坡IME、法國(guó)CEALeti、美國(guó)3D鐵電中心、德國(guó)弗朗霍斯特研究中心等）經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和設(shè)備開發(fā)高級(jí)工程師/副研究員

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1.使用國(guó)際先進(jìn)原子層沉積、分子束外延、激光脈沖沉積等材料生長(zhǎng)機(jī)臺(tái)，完成寬禁帶、超寬禁帶材料的生長(zhǎng)技術(shù)研究工作，達(dá)到項(xiàng)目所需的交付指標(biāo)；

2.進(jìn)行寬禁帶、超寬禁帶材料半導(dǎo)體核心設(shè)備的改造開發(fā)和國(guó)產(chǎn)驗(yàn)；

3.完成一整套的寬禁帶、超寬禁帶材料的生長(zhǎng)參數(shù)優(yōu)化、工藝包建立、一致性檢測(cè)的工作；

4.協(xié)助方向負(fù)責(zé)人進(jìn)行材料生長(zhǎng)與裝備相關(guān)研究項(xiàng)目工作，協(xié)助完成科研技術(shù)項(xiàng)目的規(guī)劃布局、技術(shù)攻關(guān)、平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)行推進(jìn)等內(nèi)容。

1.具有博士學(xué)位，材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子科學(xué)、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；

2.在寬禁帶、超寬禁帶材料生長(zhǎng)相關(guān)領(lǐng)域范圍內(nèi)具有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)或突出特長(zhǎng)，取得過(guò)重要成果；

3.具有海外學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷者、工業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)者、國(guó)際先進(jìn)研究單位（比利時(shí)IMEC、新加坡IME、法國(guó)CEALeti、美國(guó)3D鐵電中心、德國(guó)弗朗霍斯特研究中心等）經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。